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coolsic mosfet 文章 進(jìn)入coolsic mosfet技術(shù)社區
貿澤開(kāi)售適合能量轉換應用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET
- 專(zhuān)注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權代理商貿澤電子?(Mouser Electronics)?即日起開(kāi)售英飛凌公司的CoolSiC? G2 MOSFET。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅?(SiC) MOSFET溝槽技術(shù)，開(kāi)啟了電力系統和能量轉換的新篇章，適用于光伏逆變器、能量?jì)Υ嫦到y、電動(dòng)汽車(chē)充電、電源和電機驅動(dòng)應用。貿澤供貨的英飛凌CoolSiC? G2?MOSFET可在所有常見(jiàn)電源方案組合（AC-DC、DC-DC和DC-A
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英飛凌OptiMOS? 7 40V 車(chē)規MOSFET ，助力汽車(chē)控制器應用
- OptiMOS? 7 40V 車(chē)規MOSFET概況采用OptiMOS? 7 技術(shù)的40V車(chē)規MOSFET產(chǎn)品系列，進(jìn)一步提升比導通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實(shí)現更低的RDSON，或者說(shuō)在更小的晶圓面積下實(shí)現相同的RDSON。如下圖所示，英飛凌40V MOSFET不同代際產(chǎn)品在比導通電阻的演進(jìn)。英飛凌40V MOSFET比導通電阻代際演進(jìn)英飛凌OptiMOS? 7 技術(shù)是英飛凌開(kāi)發(fā)的第五代溝槽技術(shù)，是當今領(lǐng)先的雙多晶硅溝槽技術(shù)。無(wú)引腳封裝結合銅夾技術(shù)的使用，大幅提高了產(chǎn)品的電流能
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用先進(jìn)的SPICE模型模擬MOSFET電流-電壓特性
- 在本文中，我們使用90nm CMOS的SPICE模型來(lái)繪制NMOS晶體管的關(guān)鍵電學(xué)關(guān)系。在前一篇文章中，我解釋了如何獲得集成電路MOSFET的高級SPICE模型，并將其納入LTspice仿真中。然后，我們使用這個(gè)模型來(lái)研究NMOS晶體管的閾值電壓。在本文中，我們將使用相同的模型來(lái)生成直觀(guān)地傳達晶體管電氣行為的圖。繪制漏極電流與漏極電壓我們將從生成漏極電流（ID）與漏極-源極電壓（VDS）的基本圖開(kāi)始。為此，我們將柵極電壓設置為遠高于閾值電壓的固定值，然后執行直流掃描模擬，其中VDD的值逐漸增加。圖1顯示了
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英飛凌推出全新600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，適用于高成本效益的先進(jìn)電源應用
- 英飛凌科技股份公司近日推出600 V CoolMOS??8?高壓超結（SJ）MOSFET產(chǎn)品系列。該系列器件結合了600 V CoolMOS??7 MOSFET系列的先進(jìn)特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7?和?S7產(chǎn)品系列的后續產(chǎn)品。全新超結MOSFET實(shí)現了具有高成本效益的硅基解決方案，豐富了英飛凌的寬帶隙產(chǎn)品陣容。該系列產(chǎn)品配備集成式快速體二極管，適用于服務(wù)器和工業(yè)開(kāi)關(guān)模式電源裝置（SMPS）、電動(dòng)汽車(chē)充電器、微型太陽(yáng)能等廣泛應用。這些元件采
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瞻芯電子：第三代SiC MOSFET通過(guò)車(chē)規認證
- 6月23日，瞻芯電子宣布，公司基于第三代工藝平臺開(kāi)發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)車(chē)規級可靠性(AEC-Q101)測試認證。同時(shí)，瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺正式量產(chǎn)，后續將依托浙江義烏的車(chē)規級SiC晶圓廠(chǎng)推出更多第三代SiC MOSFET產(chǎn)品。瞻芯電子成立于2017年，是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導體領(lǐng)域的高科技芯片公司，致力于開(kāi)發(fā)碳化硅(SiC)功率器件、驅動(dòng)和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模塊產(chǎn)品。瞻芯電子表示，第三代1200V 13
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英飛凌推出CoolSiC MOSFET 400V，重新定義AI服務(wù)器電源的功率密度和效率
- 隨著(zhù)人工智能（AI）處理器對功率的要求日益提高，服務(wù)器電源（PSU）必須在不超出服務(wù)器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率，這主要是因為高級GPU的能源需求激增。到本十年末，每顆高級GPU芯片的能耗可能達到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應用和相關(guān)特定客戶(hù)需求的出現，促使英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）開(kāi)發(fā)電壓650 V以下的SiC MOSFET產(chǎn)品?，F在，英飛凌基于今年早些時(shí)候發(fā)布的第二代（G2）CoolSiCTM技術(shù)，推出全新CoolSiC??MOS
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英飛凌推出集成高精度溫度傳感器的新型600V CoolMOS S7TA MOSFET
- 全球功率系統和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司近日推出適用于汽車(chē)功率管理應用的600 V CoolMOS? S7TA超級結MOSFET。S7TA專(zhuān)為滿(mǎn)足汽車(chē)電子部件的特殊要求而設計，其集成溫度傳感器在工業(yè)應用同類(lèi)產(chǎn)品（CoolMOS? S7T）取得的進(jìn)步基礎上，顯著(zhù)提高了結溫傳感的精度，因此具有諸如更高的耐用性、安全性和效率等對于汽車(chē)領(lǐng)域至關(guān)重要的優(yōu)勢。與同系列中的工業(yè)級產(chǎn)品一樣，車(chē)規級CoolMOS? S7TA?尤其適合固態(tài)繼電器（SSR）應用。它具有出色的RDS(on)?
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一文了解SiC MOS的應用
- 作為第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎材料，碳化硅MOSFET具有更高的開(kāi)關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統電力轉換效率，并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統中，應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件，可以實(shí)現更低的開(kāi)關(guān)和導通損耗，同時(shí)具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著(zhù)提升系統效率及功率密度，從而降低系統綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對比一、行業(yè)典型應用碳化硅MOSFET的主要應用領(lǐng)域包括：充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲一體機、新能源汽車(chē)空調、新能
- 關(guān)鍵字： SiC MOS 碳化硅 MOSFET
新型OptiMOS 7 MOSFET改進(jìn)汽車(chē)應用中的導通電阻、設計穩健性和開(kāi)關(guān)效率
- 英飛凌科技股份公司正在擴大其用于汽車(chē)應用的下一代OptiMOS? 7 MOSFET產(chǎn)品組合，在40 V?產(chǎn)品組合中新增了采用穩健且無(wú)鉛封裝的器件，并且推出了80 V和100 V型號的OptiMOS? 7 MOSFET。這些MOSFET針對各項標準和未來(lái)的48 V汽車(chē)應用進(jìn)行了優(yōu)化，包括電動(dòng)助力轉向、制動(dòng)系統、新區域架構中的功率開(kāi)關(guān)、電池管理、電子保險絲盒，以及各種12 V和48 V電氣系統應用中的直流/直流和BLDC驅動(dòng)器等。這些產(chǎn)品還適用于輕型電動(dòng)汽車(chē)（LEV）、電動(dòng)二輪車(chē)、電動(dòng)踏板車(chē)、電動(dòng)摩
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使用先進(jìn)的SPICE模型表征NMOS晶體管
- 為特定CMOS工藝節點(diǎn)設計的SPICE模型可以增強集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫(xiě)了一系列關(guān)于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫中預加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章，但如果我們的主要目標是準確模擬集成電路MOSFET的電學(xué)行為，那么結合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中，我將介紹下載用于IC設計的高級SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過(guò)程。然后，我們將使用下載的模型對NMOS晶體管進(jìn)
- 關(guān)鍵字： CMOS，MOSFET 晶體管，Spice模型
安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設計注意事項，您知道嗎？
- 安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專(zhuān)注于提高開(kāi)關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統中的高功率應用進(jìn)行了優(yōu)化。此前我們描述了M3S的一些關(guān)鍵特性以及與第一代相比的顯著(zhù)性能提升，本文則將重點(diǎn)介紹M3S產(chǎn)品的設計注意事項和使用技巧。寄生導通問(wèn)題由于NTH4L022N120M3S的閾值電壓具有 NTC，因此在最高結溫TJ(MAX) = 175°C時(shí)具有最低值。即使數據表中的典型V
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET RSP
英飛凌推出TOLT和Thin-TOLL封裝的新型工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2
- 在技術(shù)進(jìn)步和低碳化日益受到重視的推動(dòng)下，電子行業(yè)正在向結構更緊湊、功能更強大的系統轉變。英飛凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封裝正在積極支持并加速這一趨勢。這些產(chǎn)品能夠更大程度地利用PCB主板和子卡，同時(shí)兼顧系統的散熱要求和空間限制。目前，英飛凌正在通過(guò)采用?Thin-TOLL 8x8?和?TOLT?封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列，擴展其?CoolSiC? MOSFET分立式半導體器件?650 V產(chǎn)品組合。這兩個(gè)產(chǎn)品系列基于Coo
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 CoolSiC MOSFET
MOSFET在服務(wù)器電源上的應用
- 服務(wù)器電源主要用在數據中心場(chǎng)景中，主要應用于服務(wù)器、存儲器等設備。它和PC電源一樣，都是一種開(kāi)關(guān)電源。服務(wù)器電源按照標準可以分為ATX電源和SSI電源兩種。ATX標準是Intel在1997年推出的一個(gè)規范，使用較為普遍，輸出功率一般在125瓦～350瓦之間主要用于臺式機、工作站和低端服務(wù)器。SSI（Server System Infrastructure）規范是Intel聯(lián)合一些主要的IA架構服務(wù)器生產(chǎn)商推出的新型服務(wù)器電源規范，SSI規范的推出是為了規范服務(wù)器電源技術(shù)，降低開(kāi)發(fā)成本，延長(cháng)服務(wù)器的使用壽命
- 關(guān)鍵字： MOSFET 服務(wù)器電源
MOSFET基本原理、參數及米勒效應全解
- 1MOSFET基本工作原理1.1小功率MOSFET場(chǎng)效應管（FET）是利用輸入回路的電場(chǎng)效應來(lái)控制輸出回路電流的一種半導體器件，由于緊靠半導體中的多數載流子導電，又稱(chēng)單極型晶體管。場(chǎng)效應管分為結型和絕緣柵兩種，因為絕緣柵型晶體管（MOSFET，下面簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管）的柵源間電阻比結型大得多且比結型場(chǎng)效應管溫度穩定性好、集成化時(shí)工藝簡(jiǎn)單，因而目前普遍采用絕緣柵型晶體管。MOS管分為N溝道和P溝道兩類(lèi)，每一類(lèi)又分為增強型和耗盡型兩種，只要柵極-源極電壓uGS為零時(shí)漏極電流也為零的管子均屬于增強型管，只要柵極-源極
- 關(guān)鍵字： MOSFET 參數 米勒效應
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